价值分析:南大光电!半导体材料国产先锋后市如何?半导体材料国产先锋南大光电

原标题:价值分析:南大光电!半导体材料国产先锋后市如何?

半导体材料国产先锋南大光电

今天我们一起梳理一下南大光电,公司主要业务包括MO 源、电子特气,同时公司正在推进光刻胶及配套材料业务、ALD 前驱体产品业务。

MO 源即高纯金属有机化合物,是现代化合物半导体产业的支撑源材料。MO 源是制备LED 外延片的核心原材料,目前大多数MO 源都被用于LED 产业。此外,MO 源还被应用于新一代太阳能电池,薄膜非晶硅太阳能电池,相变存储器,半导体激光器,射频集成电路芯片及其他化合物半导体领域。

MO 源产业链上游为镓、铟等金属及其辅助性原材料。其所用金属占比相对较低,辅助性原材料均为常规工业品,国内供应链完整且供应量丰富。故该行业不存在被上游原材料供应商限制的风险。从行业下游应用领域来看,由于大多数MO源的终端应用为LED 产业,故过去几年MO 源行业的景气程度与LED 行业景气度具有较强正相关关系;目前随着光伏PERC 技术、VCSEL 激光、化合物半导体等新型运用的崛起,MO 源对LED 行业的依赖有所降低

公司是全球主要的MO 源生产商,全球市占率超过30%,主要产品有三甲基镓、三甲基铟、三乙基镓、三甲基铝等,主要应用于下游制备LED 外延片等。公司产品的技术水平已全面达到国际先进水平,产品纯度≥6N,可以实现MO 源产品的全系列配套供应,并可为客户提供定制产品服务。公司MO 源产品已实现进口替代,并远销欧美及亚太地区,积累了一大批稳定优质的客户资源。公司在建“年产170 吨MO 源和高K 三甲基铝生产项目”,项目建成后可将产品应用扩展至半导体和光伏领域

电子特气是集成电路、平板显示、LED、太阳能电池等泛半导体领域生产制造过程中不可或缺的关键性化工材料,并对最终产品产生较大影响,被誉为电子产业的“粮食”和“血液”。按照使用场景的不同,电子气体可以被分为“硅族气体、掺杂气体、刻蚀清洗气体、反应气体、沉积气体”等。

从市场竞争格局角度来看,我国电子气体呈寡头垄断格局,且市场份额几乎全部集中于美、日、英、法等海外厂商手中。国产供应商寥寥,某种程度上是因为电子气体提纯工艺复杂且国内厂商起步较晚的原因。

在高纯特种电子气体家族中,砷烷和磷烷是技术门槛和开发难度最高的两个品种,也是IC、LED、光伏、航天和国防事业的关键原材料,几十年来一直被海外技术封锁,其中砷烷更是电子特气中的“王中王”,因其易燃、易爆、剧毒的特性,从合成到提纯各种环节难度较大,也正因为如此,在南大光电砷烷、磷烷推向市场以前,全球仅有两家主要供应商,属于典型的寡头垄断格局

公司高纯电子特气主要产品为高纯磷烷、砷烷,已在LED 行业取得主要市场份额,并在IC 行业快速实现了进口替代,自2017 年面世以来营收规模保持高速增长,成为继MO 源以后最重要的业绩支点。此外,公司于2019 年11 月收购山东飞源气体57.97%股权,飞源气体是国内三氟化氮、六氟化硫主要生产企业之一。

原子层沉积(Atomic Layer deposition,ALD)最初称为原子层外延,也成为原子层化学气相沉积(ALCVD),是化学气相沉积(CVD)的一种特殊形式。该技术可以将物质以单原子薄膜的形式一层一层镀在衬底表面,与普通的化学沉积有相似之处,但在原子沉积的过程中新一层原子膜的化学反应是直接与上一层相关联的,这种方式使每次反应只沉积一层原子。

与CVD及PVD镀膜相比ALD镀膜技术具有一系列明显的优势:成膜均匀性好、致密无孔洞、台阶覆盖特性好、可在低温进行(室温—400℃)、可简单精确控制薄膜厚度、广泛适用于不同形状的基底、无需控制反应物流量均匀性。

在ALD 工艺过程中,能否实现均匀、优质的原子层沉积,其核心要义在于前驱体的选择。通常来讲,ALD 前驱体需要满足以下标准:足够高的蒸气压,确保其能充分覆盖和填充基地表面;良好的化学稳定性,防止在高温区域发生自分解反应;无毒、无腐蚀性且副产物呈惰性,避免阻碍薄膜进一步生长;反应活性强,能迅速在材料表面进行吸附,并达到饱和,或与材料表面集团快速有效反应。

公司于2016 年12 月承担了国家“02 专项”项目“20-14nm 先导产品工艺开发”的课题“ALD 金属有机前驱体产品的开发和安全离子注入产品开发”的开发任务,现已掌握多种ALD/CVD前驱体材料的生产技术,并且具备规模化生产的能力,公司可提供TDMAT 等多种合格产品,其中TDMAT等产品在中芯国际若干分厂都进行了认证并陆续通过,可以实现小批量供应。

展望未来,ALD 前驱体将会与公司特气业务在半导体领域形成良好协同效应,为客户提供全方位的高价值服务,同时为公司业绩增添新动能。

光刻的过程是一种基于光刻胶的光敏聚合物材料的照相技术,通过曝光和显影,使光刻胶在衬底上形成三维浮雕图形。典型的光刻工艺包括以下步骤:衬底制备、旋转涂胶、曝光前烘干、曝光、曝光后烘干、显影和显影后烘干,最终实现图像转移的目的。光刻过程中必不可少的两个要素分别是高精度光刻机以及光刻胶

光刻胶作为半导体工艺制程中最为核心的原材料,技术门槛极高,高端产品由日本JSR、TOK 等长期垄断,按光源敏感度可以分为i 线光刻胶(365nm)、KrF光刻胶(248nm)、ArF 光刻胶(193nm),价值含量处在整个半导体原材料金字塔的顶端。由于此前我国晶圆厂数量较少,且大多处于低端制程的原因,与之配套的高端光刻胶产品几乎处于空白状态。

公司于2017 年开始研发“193nm 光刻胶项目”,已获得国家“02 专项”的相关项目立项,公司计划通过3 年的建设、投产及实现销售,达到年产25 吨193nm(ArF 干式和浸没式)光刻胶产品的生产规模,产品将满足集成电路行业需求标准。目前“193nm光刻胶及配套材料关键技术开发项目”的研发工作已经完成,正在验收中。公司设立光刻胶事业部,并由子公司宁波南大光电全力推进“ArF光刻胶开发和产业化项目”的落地实施。2019年项目完成环评和安评工作,基础建设按计划进行;已安装完成一条193nm光刻胶生产线,目前处于调试阶段。公司同时自主研发制备光刻胶用的高纯原材料,已研制出的光刻胶产品正在进行客户评估工作

可以期待,在不远的将来193nm 光刻胶将是公司继MO 源、电子特气、ALD 前驱体以后的另一个拳头产品,为公司业绩提供新的源头活水。

一、半导体材料国产先锋

南大光电成立于2000年,开发出适合三甲基镓、三甲基铟等大规模工业化生产的新工艺;技术来源南京大学,1986年创始人孙祥祯教授开始承担国家科委组织的“高纯度金属有机化合物(MO源)”国家“七五”重点科技攻关的研究与开发,1987年南大MO源研究课题纳入国家863计划,1989年高纯三甲基锑研发成功;2009年公司成功进行MO源产业化试生产;2011年三甲基镓22.5吨生产线建设动工;2012年深交所创业板上市;2015年砷烷、磷烷规模化生产设备安装调试完毕,具备生产能力;2016特气产品开始规模化生产,砷烷、磷烷年产能分别达到24吨和36吨,同年顺利完成国家“02专项”高纯特种电子气体研发与产业化项目课题,用3年的时间攻克了国内30年未能解决的课题;2017年获得国家”02专项”193nm光刻胶及配套材料的研发项目立项;2018年拟在宁波开发区投资建设高端集成电路制造用193nm光刻胶材料及配套关键材料研发与生产项目,项目总用地面积约86亩,一期总投资预计9.6亿元;2019年收购山东飞源气体57.97%股权,飞源气体是国内三氟化氮、六氟化硫主要生产企业之一。

二、业务分析

2014-2019年,营业收入由1.50亿元增长至3.21亿元,复合增长率16.43%,19年同比增长40.85%,2020Q3实现营收同比增长96.15%至4.29亿元;归母净利润分别为0.51亿元、0.44亿元、0.08亿元、0.34亿元、0.51亿元、0.55亿元,19年同比增长7.36%,2020Q3实现归母净利润同比增长97.00%至0.89亿元;扣非归母净利润分别为0.46亿元、0.25亿元、0.00亿元、0.20亿元、0.37亿元、0.37亿元,19年同比下降0.47%,2020Q3实现扣非归母净利润同比下降84.84%至0..04亿元;经营活动现金流由0.45亿元增长至2.79亿元,19年同比增长114.62%,2020Q3实现经营活动现金流同比下降189.52%至-0.43亿元。

分产品来看,2019年三甲基镓实现营收同比下降3.72%至5050.43万元,占比15.72%,毛利率减少8.88pp至6.17%;三甲基铟实现营收同比下降2.10%至5575.19万元,占比17.35%,毛利率减少18.12pp至56.30%;三乙基镓同比下降9.76%至1136.29万元,占比3.54%;三甲基铝实现营收同比增长16.52%至969.70万元,占比3.02%;特气类实现营收同比增长108.81%至1.64亿元,占比50.91%,毛利率减少12.37pp至49.98%;其他实现营收同比增长56.08%至3045.48万元,占比9.46%,毛利率减少2.73pp至49.37%。

2019年前五大客户实现营收1.35亿元,占比41.94%,其中第一大客户实现营收5075.03万元,占比15.79%。

三、核心指标

2014-2019年,毛利率由47.11%下降至16低点39.27%,随后逐年提高至18年52.23%,19年回落至43.87%;期间费用率由9.98%上涨至16年高点57.56%,随后逐年下降至20.09%,其中销售费用率由3.98%上涨至18年高点11.86%,19年回落至6.81%,管理费用率由25.47%上涨至16年高点57.65%,随后逐年下降至14.28%,财务费用率由-19.47%上涨至-1;利润率15年提高至高点37.34%,16年下降至低点5.17%,随后逐年提高至18年24.31%,19年回落至19.2%,加权ROE由4.41%下降至16年低点0.63%,随后逐年提高至4.6%。

四、杜邦分析

净资产收益率=利润率*资产周转率*权益乘数

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由图和数据可知,15年净资产收益率的下降主要是由于资产周转率的下降,16年净资产收益率下降至低点主要是由利润率下降至低点,17-18年净资产收益率的提高主要是由于利润率和资产周转率,19年净资产收益率的提高主要是由于权益乘数的额提高。

五、研发支出

2019年公司研发投入(含资本化部分)同比增长76.28%,占营业收入的比例为20.49%,科研力度的加大,公司技术实力及自主创新能力得到不断增强。截至2019年末公司及主要子公司共获得专利 68 项,其中:发明专利 20 项,实用新型专利 48 项。

六、估值指标

PB 10.73,位于近5年70分位值上方。

看点:

作为国内较早实现MO 源产业化的公司,南大光电上市以来,凭借深厚的技术积累和管理层超前的战略眼光,围绕传统主营MO 源不断精进,业已发展出MO 源、电子特气、ALD 前驱体、光刻胶等多种半导体材料。可以看到,虽然公司产品种类繁多,却从未偏离主营方向,一直在半导体先进材料领域精耕细作,跬步前行。且几大业务板块无论是从广义分类、制备技术还是客户结构上都具备相通之处,有利于公司在半导体材料领域进行资源和技术的深度整合。放眼未来,一旦高端IC 镀膜材料ALD 前驱体以及193nm 光刻胶项目逐步落地并推向市场,其所带来的公司整体定位和价值的提升将不止于再造一个南大光电。

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发表于: 2021-01-10 11:20:02 AM
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